Электронный шум

Материал из Synset

Перейти к: навигация, поиск
Дрожание земной оси << Оглавление >> Хищники и их жертвы

В электротехнических приборах всегда присутствует шум. Если в отсутствие музыки увеличить громкость усилителя, то будет слышно характерное шипение. Величина шума связана с температурой, в которой находится система, и была экспериментально исследована в 1928 г. Джонсоном и теоретически объяснена в этом же году Найквистом.

Основными характеристиками процессов, происходящих в электрической цепи, являются напряжение (разница потенциалов) \textstyle U между двумя точками и проходящий по ней ток \textstyle I. Ток равен величине заряда частиц, пересекающих сечение провода за единицу времени: \textstyle I=dQ/dt.

Большинство электротехнических устройств состоят из трёх элементарных деталей — резистора, конденсатора и индуктивности:

File:electrotech.png

Резистором является любой проводник, "затрудняющий" прохождение по нему зарядов так, что справедлив закон Ома: \textstyle U=R\cdot I, где \textstyle R — константа, называемая сопротивлением.

Конденсатором может выступать тело, способное накапливать заряд. Например, две параллельные металлические пластины, содержащие заряды противоположного знака. Конденсатор характеризуется ёмкостью \textstyle C, зависящей от его материала и формы. Чем больше накоплено заряда, тем выше разница потенциалов пластин конденсатора: \textstyle U=Q/C. При зарядке конденсатор внутри себя увеличивает энергию \textstyle E=Q^2/2C электрического поля.

Индуктивность — это активный элемент, реагирующий на изменение тока. Для неё справедлив закон Ома в виде: \textstyle U=L\,dI/dt. Индуктивность накапливает энергию магнитного поля, равную \textstyle E=LI^2/2.

Рассмотрим последовательное соединение этих трех элементов.

File:electrotechRLC.png

В отсутствие внешнего источника суммарное падение напряжения на всех элементах \textstyle U_R+U_C+U_L должно быть равно нулю (замкнутая цепь). Однако в силу тепловых флуктуаций это не так. Обозначим колебания напряжения через \textstyle \delta U.

Считая их винеровскими с постоянной волатильностью и учитывая определение тока, можно записать систему стохастических уравнений в следующем виде:

\left\{ \begin{array}{l} dQ = I\, dt\\ dI = - (\alpha Q + 2 \beta I) \, dt + \sigma \delta W, \end{array} \right.

где \textstyle \alpha=1/LC, \textstyle \beta=R/2L и \textstyle \delta U = L \sigma \delta W. Наша задача состоит в нахождении величины амплитуды шума \textstyle \sigma. В его отсутствие (\textstyle \sigma=0) систему можно привести к единственному уравнению второго порядка:

\frac{d^2 Q}{d t^2} + 2\beta \frac{d Q}{d t} + \alpha Q = 0.

Это уравнение гармонического осциллятора, испытывающего трение. Вообще аналогия с механикой достаточно тесная. Заряд \textstyle Q и ток \textstyle I являются динамическими переменными системы. Заряд аналогичен координате осциллятора, а ток — импульсу. От них также зависит энергия, накапливаемая конденсатором и индуктивностью. Из уравнений движения следует:

 E(Q, I)=\frac{LI^2}{2}+\frac{Q^2}{2C}\;\;\;\;\;\;=>\;\;\;\;\;\;\frac{dE}{dt}=-R I^2.
(7.6)

Уменьшение энергии происходит из-за тепловых потерь на резисторе, равных \textstyle R I^2. Если сопротивления нет, то энергия сохраняется и происходят незатухающие колебания. При этом энергия периодически переходит из электрической в конденсаторе ("потенциальная") в магнитную ("кинетическая") на индуктивности, и обратно.

Стохастические уравнения линейны, поэтому решения для средних значений тока и заряда совпадают с детерминированными. В нашем случае матрица системы \textstyle \mathbf{A} и её собственные значения имеют вид:

\mathbf{A}= \begin{pmatrix} 0 & 1 \\ -\alpha & -2\beta \\ \end{pmatrix} \;\;\;\;\;\;\;a_{1,2}=-\beta \pm i \omega,

где \textstyle \omega=\sqrt{\alpha-\beta^2}. Мы предполагаем, что сопротивление невелико и \textstyle 4L/C>R^2. По стандартному алгоритму (стр. \pageref{sys_line_n_eigen}) несложно найти:

 \begin{array}{l} \overline{Q}(t) = \bigl[Q_0 \cos\omega t + (\;I_0\;+\beta Q_0)/\omega) \sin \omega t\bigr] \, e^{-\beta t}\\ \overline{I}(t)\, = \bigl[\,I_0 \;\cos\omega t - (\beta I_0+\alpha Q_0)/\omega) \sin \omega t\bigr] \, e^{-\beta t}. \end{array}
(7.7)

Возможно, более быстрый путь — это решение уравнения второго порядка в виде \textstyle Q(t)=(A\cos \omega t+B\sin \omega t)e^{-\beta t} и определение констант при помощи начальных условий \textstyle Q_0=Q(0), \textstyle I_0=\dot{Q}(0).

\textstyle \bullet Если некоторая система имеет температуру \textstyle T, можно воспользоваться распределением Гиббса (стр. \pageref{distribution_gibbs}) и записать плотность вероятности для динамических переменных в следующем виде:

 P(I,Q) = P_0\, e^{-E(I,Q)/kT}.
(7.8)

Она удовлетворяет стационарному уравнению Фоккера-Планка:

\frac{\partial (a_i P)}{\partial x_i} - \frac{1}{2}\,\frac{\partial^2 }{\partial x_i\partial x_j}\Bigl[B_{ik} B_{jk} P\Bigr] = 0.

В данном случае \textstyle x_\alpha=\{Q, I\} и

a_\alpha = \{ I, \;\;-\alpha Q - 2\beta I\},\;\;\;\;\; B_{ij} = \sigma\cdot \begin{pmatrix} 0 & 0 \\ 0 & 1 \\ \end{pmatrix}, \;\;\;\; \mathbf{B}\cdot \mathbf{B}^T = \sigma^2\cdot \begin{pmatrix} 0 & 0 \\ 0 & 1 \\ \end{pmatrix}.

Поэтому:

I\,\frac{\partial P}{\partial Q} - \alpha \,Q\,\frac{\partial P}{\partial I} - 2\beta \,\frac{\partial (I P)}{\partial I} - \frac{\sigma^2}{2}\,\frac{\partial^2 P}{\partial I^2} = 0.

Подставляя (7.8) и учитывая (7.6), после простых вычислений находим связь между волатильностью и температурой:

(L\sigma)^2=2\, kT\,R.

Таким образом, флуктуации напряжения являются винеровским шумом с дисперсией, пропорциональной температуре и сопротивлению:

 \delta U = \sqrt{2\,kT\,R} \cdot \delta W\;\;\;\;\;\;=>\;\;\;\;\;\;\;\left\langle \delta U^2\right\rangle =2\,kT\,R\, dt.
(7.9)

Дисперсию заряда и тока в устоявшемся режиме (\textstyle t\to\infty) можно найти из уравнения для дисперсии (6.29), (см. Линейные многомерные модели). Положив \textstyle \dot\mathbf{D}=0, имеем:

\mathbf{A}\cdot \mathbf{D} + \mathbf{D}\cdot \mathbf{A}^T + \,\mathbf{B}\cdot \mathbf{B}^T = 0,

откуда:

 \mathbf{D} = \frac{\sigma^2}{4\alpha\beta} \begin{pmatrix} 1 & 0\\ 0 & \alpha \\ \end{pmatrix}= kT \begin{pmatrix} C & 0\\ 0 & 1/L \\ \end{pmatrix},
(7.10)

что согласуется с вероятностью (7.8) и \textstyle n-мерным гауссовым распределением. Заметим, что \textstyle \left\langle Q^2\right\rangle =kTC, \textstyle \left\langle I^2\right\rangle =kT/L, поэтому в среднем энергия между конденсатором и индуктивностью распределена поровну. В качестве упражнений предлагается найти матрицу дисперсий при произвольном \textstyle t (\textstyle \lessdot H), а также ковариацию и спектральную функцию в стационарном режиме (\textstyle \lessdot H).

\textstyle \bullet Тепловые флуктуации тока возникают на резисторе и в отсутствие колебательного контура. Для отдельного электрона с зарядом \textstyle q справедливо уравнение движения:

m \frac{dv}{dt} = -\gamma v - q\mathcal E.

На электрон действуют две силы — сопротивление со стороны кристаллической решётки (трение) и электрическая сила в поле \textstyle \mathcal E. Если в проводнике длиной \textstyle l поле однородно \textstyle U=l \mathcal E, то в устоявшемся режиме (\textstyle \dot v=0) из уравнения движения следует \textstyle v=-q\mathcal E/\gamma=-qU/l\gamma. Пусть \textstyle n — концентрация электронов. За время \textstyle \Delta t сечение сопротивления площадью \textstyle S пересекает \textstyle (qn)\,S\Delta x зарядов. Для электрона \textstyle q<0, поэтому ток равен:

I = \frac{dQ}{dt} = -\frac{q n S \Delta x }{\Delta t} = - n q v S =\frac{q^2 n S}{\gamma l}\cdot U.

Следовательно, по закону Ома \textstyle R=U/I сопротивление равно:

R=\frac{\gamma l}{q^2 n S}.

Когда внешних полей нет, но есть электрическое стохастическое воздействие со стороны тепловых колебаний других зарядов, имеем следующее стохастическое уравнение движения:

dv = -\frac{\gamma}{m} \,v \,dt - \sigma\,\delta W,

где \textstyle \delta \mathcal E= (\sigma m/q)\delta W — флуктуации электрического поля. Аналогично броуновскому движению находим стационарное значение квадрата скорости: \textstyle \left\langle v^2\right\rangle =m\sigma^2/2\gamma. Кинетическая энергия \textstyle m\left\langle v^2\right\rangle /2 равна \textstyle kT/2 (одна степень свободы), поэтому \textstyle \sigma^2=2kT \gamma /m^2.

Если в проводнике \textstyle N=n S l электронов, то среднее расстояние между ними \textstyle l/N и флуктуации разности потенциалов \textstyle \delta U_i = (l/N)\delta \mathcal E. Их сумма равна разности потенциалов на резисторе. Так как \textstyle \delta W=\varepsilon \sqrt{dt}, \textstyle N=n S l, получаем:

\delta U = \frac{l}{N}\sum^N_{i=1} \mathcal \delta \mathcal E_i = \frac{l}{N}\,\frac{\sigma m}{q} \sum^N_{i=1} \varepsilon_i \sqrt{dt} = \frac{l}{N}\,\frac{\sigma m}{q} \,(\sqrt{N} \,\varepsilon)\,\sqrt{dt} = \sqrt{2kT R} \;\delta W,

и, следовательно, снова приходим к соотношению Найквиста (7.9).


Дрожание земной оси << Оглавление >> Хищники и их жертвы

Стохастический мир - простое введение в стохастические дифференциальные уравнения